東芝は、電力のオンとオフが切り替わる際の電力損失を最大で従来比４０・５％低減できるパワー半導体を開発した。再生可能エネルギーシステムや電気自動車（ＥＶ）、鉄道、産業機器などに搭載される電力変換器を高効率化できる。カーボンニュートラル（温室効果ガス排出量実質ゼロ）社会の実現に貢献する。

東芝が開発したのは、パワー半導体の一種である「ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）」。ゲート電極を三つ持つ新構造を採用したほか、スイッチのオン・オフを高精度に切り替える制御技術を開発。これにより、従来のＩＧＢＴと比べて、スイッチを入れた際に５０％、切る際に２８％（全体で最大４０・５％）電力損失を低減した。

従来のＩＧＢＴは、スイッチオン状態の際に発生する「導通損失」を低減すると、オン・オフ切り替え時に発生する「スイッチング損失」が増えてしまうトレードオフの関係にあり、課題となっていた。新構造の採用などにより、導通損失を増加させることなく、スイッチング損失の低減に成功した。

東芝は今後２―３年かけて、製品化に向けた課題の洗い出しを行い、早期の実用化を目指す。同半導体の詳細を、５月３０日から６月３日にオンラインで開催中のパワー半導体国際学会「ＩＳＰＳＤ２０２１」で発表する。