パワー半導体各社が攻勢を強めている。家電や産業機器向けの市場が好調に推移するほか、今後は電気自動車（ＥＶ）化の進展で需要が一段と膨らむ見通し。次の成長の柱となる「炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体」を武器に、効率化や小型化を訴求し市場を深耕する構えだ。各社は、この新潮流をつかめるか。

　最も強気な設備投資を表明するのは、富士電機だ。同社は５月に１００億円規模の増産投資を決めたのに続き、１１月にも１７０億円の追加投資を発表。２０１７―２０年度で５００億円規模の投資を行う方針だ。宝泉徹執行役員は「計画は上振れ気味。見通しは堅調だ」と自信を見せる。

　パワー半導体市場の先行きは明るい。富士経済（東京都中央区）は市場が２５年に１６年比３１・２％増の３兆１７９９億円になると予測する。

　成長を支えるのは自動車。モーター制御に不可欠なパワー半導体は、ＥＶ化により需要が大きく伸びる。同社の宇陀良弘主任は「世界的なＥＶ化の流れで、需要が前倒しされている」と指摘する。

　各社の目はすでに次をとらえている。それがＳｉＣパワー半導体だ。現在普及するシリコン製よりもエネルギー効率が高く、インバーターなどを小型化したり、電力損失を減らしたりできる。富士経済は２５年のＳｉＣパワー半導体市場が１６年比６・９倍の１４１０億円まで広がると予測する。

　足元では、市場拡大の主役となる自動車向けの採用が本格化してきた。中国によるＥＶ振興に加え、欧州を起点にＥＶ化の波が押し寄せる。

　英ＩＨＳマークイットの南川明主席アナリストは「ＳｉＣパワー半導体市場は急速に立ち上がろうとしている」と分析する。パワー半導体メーカー幹部も「１７年に入り、自動車メーカーからの要求がより具体的になっている」と打ち明ける。

　各社もこのタイミングを逃すまいとＳｉＣのビジネスに拍車をかける。その象徴が生産能力の強化だ。パワー半導体最大手の独インフィニオン・テクノロジーズや、三菱電機、東芝はＳｉＣの生産ラインで従来の直径４インチ（１００ミリメートル）ウエハーから同６インチ（１５０ミリメートル）への切り替えを加速。三菱電機の花岡尚夫半導体・デバイス第一事業部長は「歩留まり改善のレベルは、どんどん向上している」と胸を張る。

　ロームもＳｉＣパワーデバイス関連で２６年３月期までに計２００億円を投じ、生産能力を１７年３月期比７倍に引き上げる。需要が好調なため、投資計画は前倒しされる見込みで、６インチ化にも本格的に取り組み始めた。

　一方、富士電機は今後１―２年かけて、ＳｉＣパワー半導体の製品ラインアップを拡充する計画。宝泉執行役員は「市場が本格的に立ち上がる２０年以降に、少なくとも２０％程度のシェアは取りたい」と意気込む。

　最大の課題は、シリコンに比べて数倍とも言われるコストだった。しかし富士経済の宇陀主任は「大口径化が本格化することで価格は下がっていくだろう」とみる。普及への追い風は吹いている。