ＹＫＴは次世代パワー半導体に使う炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハー材料・インゴットの新たな加工法を提案する。機械商社として取り扱う海外製の最新成形研削盤と関連技術を売り込む。ＳｉＣパワー半導体は電力や鉄道向けに加えて、近年自動車への搭載も増えており、脱炭素社会を実現する切り札とされる。１１月５日に開幕する日本国際工作機械見本市（ＪＩＭＴＯＦ２０２４）に出展して、セミナーなどで紹介する。

ＳｉＣは現在主流のシリコンより強度が高く、地球上で３番目に硬い化合物と言われる。電力変換に使うパワー半導体にＳｉＣを用いると、損失を抑えてより効率的に電力を消費できる。ＳｉＣウエハー生産は米国や中国メーカーが多い。

ＹＫＴは今回、米ユーザック製のＳｉＣブロック成形研削盤を売り込む。ＳｉＣウエハーの一般的な作り方はまずインゴットをブロック状に加工し、その後にスライスして円盤状に仕上げる。

ＳｉＣインゴットからブロックまでの処理時間が従来は１日以上かかっていたが、提案する加工法であれば数時間に短縮可能という。

ＹＫＴはＪＩＭＴＯＦでこのほかに、電極の消耗がなくバリ・後処理も不要なフランス・ペムテック製の精密電解加工機などを出展する。