ロームは窒化ガリウム（ＧａＮ）デバイスを高速駆動できるゲートドライバーＩＣ「ＢＤ２３１１ＮＶＸ―ＬＢ＝写真」を発売した。ナノ秒（ナノは１０億分の１）クラスのゲート駆動速度を実現。最小ゲート入力パルス幅１・２５ナノ秒で、ＧａＮデバイスを高速スイッチングできる。消費税抜きのサンプル価格は９００円。高性能センサー「ＬｉＤＡＲ（ライダー）」駆動回路などでの利用を想定する。

新製品はローム独自の駆動方式を採用することで、スイッチング時に規定を超える電圧値が一瞬発生するオーバーシュートの抑制機能を搭載。過電圧入力によるＧａＮデバイスの故障を防ぐ。ローム製のＧａＮデバイスと組み合わせて回路を構成することで、回路設計を容易にできる。

ＧａＮデバイス実装が期待されるデータセンターや基地局などの入力降圧コンバーター回路などでの採用も想定する。今後、一般的な半導体デバイスより小型な「ＷＬＣＳＰ」と呼ばれるウエハーレベルの極小パッケージの同ドライバーＩＣも順次投入する。

ＧａＮデバイスは高速スイッチング性能が特徴で、シリコン製のパワー半導体と比べてスイッチング損失を大幅に削減できる。一方、ＧａＮデバイスはゲート耐圧や駆動電圧が低く、性能を最大限引き出すゲートドライバーＩＣが必要とされていた。