三菱電機は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体の８インチウエハー生産に対応する新工場棟を熊本県菊池市に建設し、２０２６年４月に稼働する。同合志市のＳｉＣ６インチ対応の既存工場も増強する。ＳｉＣのウエハー枚数ベースの生産能力は２６年度に２２年度比約５倍に増やす。２１―２５年度のパワー半導体の設備投資計画は従来比２倍の約２６００億円に引き上げ、脱炭素社会に向けた省エネルギーや電動車向けのニーズを取り込む。

新工場棟は液晶モジュールを生産していた拠点の敷地内に建設する。同拠点の既存の２棟も活用する。合志市の６インチ対応の既存工場の能力増強と合わせた投資額は約１０００億円を見込む。その他に、福岡市西区の拠点は約１００億円を投資して後工程の新工場棟を建て、海外も中国安徽省合肥市などの後工程の増強に約２００億円を投資する。

現在のＳｉＣ半導体の国内市場規模約５００億円のうち、三菱電機のシェアは１０％台半ばと見られる。三菱電機のＳｉＣ半導体はほほ国内向けで、半分以上が鉄道や産業用途だが、すでに自動車向けの採用実績もある。

ＳｉＣ半導体は世界で需要が大きく伸びる見通しで、国内ではロームが２４年をめどに８インチウエハーでの生産を計画する。経済産業省はＳｉＣを中心とするパワー半導体に２０００億円以上を投資する企業１社を選び、業界再編も視野に入れて集中支援する方針。三菱電機はこれに対し、「対象となる補助金があれば検討する」としている。