ジャパンパワーデバイス（ＪＰＤ、京都市下京区、須山透社長）は３月中に、中国製の炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体のチップ販売を始める。ＪＰＤブランドで販売し、品質と技術のサポートも担う。国内のＳｉＣ半導体メーカーは競合が増えるのを避けるためチップ販売はほとんどしていない。ＪＰＤは要望に応じてチップのフルテストや細かい性能のランク分けに対応し、国内パワーモジュールメーカーなどのＳｉＣチップ需要に応える。

中国製のＳｉＣチップは３社から調達する。３月中にサンプル出荷を始めて、４月ごろをめどに提携する国内の組み立て・テスト（ＯＳＡＴ）会社がチップごとのフルテストとランク分けの体制を整える。ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の６５０ボルトクラスと１２００ボルトクラスの製品。チップトレーまたはウエハーリングの状態で供給する。ＴＯ２２０とＴＯ２４７パッケージでの販売も可能。

ＳｉＣパワー半導体は中国メーカーが国内メーカーの供給力を上回り、価格も安価だが、品質やサポート体制への不安などから国内ユーザーの採用が進んでいない。国内ＳｉＣ半導体メーカーは自社のパワーモジュールの競合が増えるのを避けるため、チップ販売はほとんどしていない。

ＪＰＤは技術サポートや品質管理体制を作って中国製チップを採用しやすい環境を作り、国内ユーザーの反応を探る考え。チップテストやランク分けなどの付加価値を加えた場合にどの程度の値付けが可能か見極める。

ＪＰＤは２０２１年設立のパワー半導体のファブレス企業。自社設計したシリコン（Ｓｉ）製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を国内の提携先で生産する体制を構築している。２２年に予定していたＩＧＢＴのサンプル出荷は、予定より遅れて２３年３月中に開始する予定だ。