半導体メーカー各社が電気自動車（ＥＶ）のモーター制御用インバーター向けの炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体の提案に力を注いでいる。ＳｉＣ半導体を搭載した車載用パワーモジュールやＳｉＣ半導体を駆動するゲートドライバーＩＣの新製品に加え、顧客である自動車メーカーの開発コストを減らす解決策（ソリューション）を組み合わせる提案が主流となっている。（編集委員・錦織承平）

ルネサスエレクトロニクスは２５日、ＥＶインバーター向けのＳｉＣ駆動用ゲートドライバーＩＣのサンプル出荷を始めた。２０２４年１―３月の量産を計画する。急速充電性能を高めたＥＶバッテリーのバス電圧が８００ボルトまで高まることに対応し、耐電圧性能を従来品の７００ボルトから１２００ボルトに高めた。ＳｉＣはシリコン（Ｓｉ）製パワー半導体よりも耐圧性能が高く、インバーター効率を上げるための高速駆動（スイッチング）が可能で、ＥＶの走行距離を伸ばせるため採用が増えている。

スイスのＳＴマイクロエレクトロニクスも１２００ボルトまでの耐圧性能を持つＳｉＣパワー半導体モジュール「ＡＣＥＰＡＣＫ」をＥＶインバーター向けに提案する。ＳｉＣは産業用に販売してきたが、ＥＶ向けの需要増に対応し、２年ほど前から車載用に展開。北米や中国でのＥＶ搭載実績を訴求し、日本の車メーカーを開拓する。

同社日本法人オートモーティブ＆ディスクリート製品グループの中條顕ディレクターは「顧客の要求仕様は車種ごとに違うため、製品仕様にもバリエーションが求められる」とし、耐圧性能や電力レンジといった仕様を細かく分けた製品をラインアップする。

米アナログ・デバイセズは２２年１１月にＥＶインバーター用ＳｉＣパワー半導体を駆動するゲートドライバーＩＣを発表。２３年内の量産開始を予定する。

米ＳｉＣパワー半導体メーカーのウルフスピード、インバーター制御用マイコンを手がける仏シリコンモビリティーと協力して開発した出力３００キロワットのインバーターを特定顧客に提供。システム動作の中でゲートドライバーの性能を評価してもらう。アナログ・デバイセズによると「顧客も設計コストを抑えるため、すぐに評価できるものを求める傾向が顕著になった」。

こうした傾向には各社が対応しており、ＳＴマイクロのパワーモジュールも共通する回路構成を集約して小型化したパッケージの形で顧客に提供。流したい電流、電圧に応じて搭載する半導体素子を選べる。顧客が他社製品と比較しやすく、設計コストも抑えられるようにして、製品性能やラインアップなどで差別化を図る。

ルネサスも２３年前半に新しいＳｉＣ駆動用ゲートドライバーＩＣとパワー半導体、マイコンなどを組み合わせたインバーターキットを提供開始する。「回路設計、基板、ソフトウエアも提供し、５年かかる顧客側の開発期間を１―２年に短縮する」（同社）狙いだ。製品性能に加え、顧客の開発を支援するソリューションの充実も重要になっている。