8インチのSiCウエハー開発へ、昭和電工と産総研が手を組んだ

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昭和電工は産業技術総合研究所(産総研)と協力し、炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶の高速成長技術開発に取り組む。2030年度までにSiCウエハーの欠陥密度を10分の1以下にすることで、現在主流の6インチの次段階である8インチウエハー開発を目指す。

Si、炭素の2種類の元素を含むSiCウエハーは、単一元素のシリコンウエハーよりも欠陥が発生しやすい。一般的な昇華法よりも欠陥の低減が期待される同技術の確立に取り組む。

昭和電工は新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)グリーンイノベーション基金事業の研究項目「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」で、次世代SiCウエハーの開発テーマが採択された。

日刊工業新聞2022年5月30日

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