昭和電工は、パワー半導体向けに６インチの炭化ケイ素（ＳｉＣ）単結晶基板の量産を開始した。同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたＳｉＣエピタキシャルウエハーの外販で世界最大手。基板を内製し、品質向上および安定供給体制の強化を狙う。外部からの基板の調達も続ける。生産量および生産拠点、投資額は非公表。

昭和電工は以前から同基板の自社生産を検討し、２０１０―１５年に国のパワー半導体の研究開発プロジェクトに参画した。１８年に新日鉄住金（現日本製鉄）グループのＳｉＣ基板の関連資産を譲り受け、量産技術の開発を続けてきた。今回、複数の顧客に自社製６インチ基板を使用したＳｉＣエピウエハーの採用が決まり、量産を開始した。

ＳｉＣ基板を使ったパワー半導体は、今後自動車向けに更なる需要増加が見込まれる。昭和電工は自社生産により既存の調達先と合わせて基板の調達先を多様化し、旺盛な需要に応える。