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パワー半導体の電力損失30％以上削減、東北大学が結晶構造異なるSiC積層に成功

2023年10月12日ビジネス・経済

パワー半導体の電力損失30％以上削減、東北大学が結晶構造異なるSiC積層に成功

SiCパワーMOSFETデバイスの断面図　（左）従来の4H-SiC基板を用いた場合、（右）4H-SiC基板にCHESS-MOS®を取り入れた場合（東北大学提供）

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