日本はデバイスで先行？三菱電機は海外需要にらむ

日刊工業新聞2015年12月17日付

　三菱電機はインジウムリン（ＩｎＰ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）といった化合物半導体の光・高周波デバイスの各事業で、高速・大容量化が進むインターネットや携帯電話網の設備需要に的を絞り、新たな成長を目指す。「半導体結晶成長のノウハウやモジュール自動組み立てなどがコア技術」（平野嘉仁高周波光デバイス製作所長）で、国内生産ながら世界市場で高い競争力を維持する。

　光デバイス事業は、光ファイバー網の信号を送受信するＩｎＰ素子とモジュールを製造して、家庭用光ファイバー通信回線（ＦＴＴＨ）用素子で世界シェアトップの約５０％を持つ。ただ、「ＦＴＴＨは中国で活況だが、国内は需要が一巡した」（平野所長）とする。

　そこで、ここ数年取り組むのは光通信網の中で上位にある毎秒１０ギガ（ギガは１０億）―１００ギガビットの高速・大容量通信を行う幹線系や都市内（メトロ）系の開拓だ。

　特にメトロ系は、携帯電話通信網の進化に伴う基地局間通信や、グーグルやフェイスブックといった米ＩＴ企業の巨大データセンター（ＤＣ）との通信といった新需要が生まれている。

　これに対して三菱電機は、高容量対応の光デバイス製品の開発に注力。数年内に毎秒１００ギガビットの大容量通信に対応し、３・５ワットという低消費電力を実現する光通信用モジュールも市場投入する計画だ。「ＦＴＴＨ向けで培った信頼性や自動組み立てによるコスト力が強み」（同）と新需要の開拓に意欲をみせる。２０１９年度には光デバイス事業売上高を１５年度計画比２０％増の３００億円超に伸ばす考えだ。

　高速・大容量通信の需要は高周波のＧａＮデバイス事業でも同様に増えている。ＧａＮトランジスタは高電圧で動作して高出力を出せる。供給された信号を高周波に変換する効率が高く、消費電力が低いのが特徴だ。

　携帯電話基地局で使う信号増幅器ユニットにＧａＮを採用すれば、従来のシリコン（Ｓｉ―ＬＤＭＯＳ）トランジスタより搭載数が減り、ユニットは約５０％小型化できる。小型の増幅器を基地局屋上のアンテナ近くに設置でき信号損失を抑えられ、屋内の基地局本体も小型化できる。

　こうした需要を狙い、１５年度内に３・５ギガヘルツなどの高周波数帯に対応したＧａＮデバイスのラインアップをそろえて発売し、携帯基地局向けの高周波信号増幅器市場に本格参入する。国内の基地局需要のほか、韓国や中国など携帯網が進化する海外の需要も取り込む。高周波デバイス事業の売上高は、２０年度に１５年度見込み比２倍の２００億円に引き上げる計画だ。

　半導体は景気に左右されやすく、大量生産しては価格が落ちるサイクルを繰り返す。三菱電機の光デバイスも、かつてデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）向けでトップシェアを誇ったが現在、その需要はない。「コア技術を回して、いかに新分野を作るか」（同）が、持続的成長の鍵を握っている。
（文＝大阪・錦織承平）