ロームは今春にも窒化ガリウム（ＧａＮ）製パワー半導体市場に参入する。ＬＳＩ（大規模集積回路）生産子会社のローム浜松（浜松市南区）に新設備を導入。１５０ボルト耐圧のＧａＮ製高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などを量産する。拡大するデータセンター（ＤＣ）向け電源需要などを狙う。２０３０年までにＧａＮデバイス市場が約１０００億円に上ると試算。早期にシェア１０％を目指す。

ロームが量産を始めるのは、ゲート・ソース間の定格電圧を業界最高レベルの８ボルトに高め、信頼性を高めたＧａＮ製ＨＥＭＴ。ＧａＮデバイスをシリコン（Ｓｉ）基板上に作製する「ＧａＮ―ｏｎ―Ｓｉ（ガン・オン・シリコン）」の技術を用いる。

ＧａＮの成膜から回路形成、完成品テストまでをグループの国内外の拠点で一貫して担う計画だ。投資額は非公表。ローム浜松では、シリコン基板による従来のＬＳＩ生産もそのまま継続する。

ロームはＧａＮデバイスで後発。今後、サーバー用電源や次世代基地局向けのほか「高効率・小型化・軽量化が求められる電気自動車（ＥＶ）向け電源の置き換え」を狙う。

ローム浜松ではＧａＮデバイスを最適に制御する周辺ＩＣを製造できる。モジュールとしてソリューション提案できるのも強み。将来は生産の多拠点展開や能力拡大を進めトップシェアを狙う。

ロームは同じく機器の小型化・省エネルギー化に寄与する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワーデバイスも１０年に量産化に成功。２６年３月期までの中期経営計画では、ＧａＮ、ＳｉＣを含むパワー半導体事業を重点分野に据える。