ソニーグループはイメージセンサーのチップ上にメモリーを積層する技術を確立した。センサーとロジック回路、メモリーを積層すると撮像からデータ処理、記録まで実現する。ワンチップでコンピューターとして機能するようになり、機器の高性能化や低価格化、小型化につながる見通しだ。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（神奈川県厚木市）の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗メモリー（ＳＴＴ―ＭＲＡＭ）を開発した。素子の太さを少し変えるだけで短時間データを蓄えるバッファーや長期間データを保存するメモリーとして使える。

同社ではＣＭＯＳイメージセンサーの下にロジック回路を、その下にＭＲＡＭを積層する構造を実現した。ＭＲＡＭのコバルト鉄ボロンの垂直磁気トンネル接合（ｐＭＴＪ）を工夫した。

ＭＲＡＭは２６ナノ秒（ナノは１０億分の１）のパルス電流で書き込める。耐久性試験では１０５度Ｃで１００億回の書き込みに耐え、８５度Ｃでも１秒間データを保持できるという。

ｐＭＴＪの太さを１・１５倍に太くするとデータの保持時間が２億倍長くなる。８５度Ｃで７秒間データを保持できるｐＭＴＪと４５年間保持できるｐＭＴＪを簡単に作り分けられる。イメージセンサーのデータを一時的に蓄えるバッファーとデータを長期間保存するメモリーを混載できる。

同社はセンサー素子と演算素子の融合を進めてきた。ここにメモリーを加えると、イメージセンサーのチップが単体でさまざまな情報処理をするようになる。詳細は１３日からオンラインで開かれる半導体技術と回路の国際会議「ＶＬＳＩシンポジウム」発表する。