電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素（ＳｉＣ）が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料として期待されている。普及への課題は製造コストが高く加工しにくい点だ。ディスコはＳｉＣの塊（インゴッド）から、高効率かつ高精度にウエハーを切り出す加工技術「ＫＡＢＲＡ（カブラ）」を開発した。同技術はＳｉＣ市場を切り開く一手となるか。技術開発本部の大宮直樹レーザ技術部長に聞いた。

　―カブラとは。
　「ＳｉＣインゴッド表面にレーザーを照射して切断層を作製し、厚さ０・１ミリ―１ミリメートルのウエハーを切り出す技術だ。切断時の素材ロスがなく、切断層は平たんなため表面を整えるラップ研削工程を省ける。加えて一つのインゴッドあたり従来２―３日かかっていた加工時間を、１８時間に短縮できる。加工コストを４分の１―半分に、生産性をおよそ４倍に高められる」

　―実用化および商談状況はいかがですか。
　「引き合いは多く商談も進み始めている。新しい加工法の積極的な顧客への認知と採用してもらうのが第一段階だ。２０１８年には量産の前段階に導入したい。一般的に使われるようになるのは、さらにその先だ」

　―ＳｉＣの市場成長を後押ししそうです。
　「速く、安くウエハーを生産できるようになるため、貢献するのは間違いない。一部のプロセスは置き換わるだろう。ただ次世代半導体の主役は、当面シリコンだと見ている」

　―顧客の要求に変化はありますか。
　「半導体チップをより速く、より小さく加工したいという要求は変わらないが、高性能を求めるケースが増えている。つまり半導体を使う際の故障を防ぐため、ウエハー加工段階の不具合もなくさなければいけない。ウエハーロスと不具合をゼロにするのが究極の目標だ」

　―ＩｏＴ（モノのインターネット）などで、半導体市場は右肩上がりとの予測もあります。トップシェア維持に必要なことは。
　「『切る、削る、磨く』技術の進化はもちろん、顧客のニーズだけでなく自ら技術や発想を打ち出すことが重要だ。技術者が積極的に挑戦する風土をつくることが、市場を切り開く１番の軸だ」

（聞き手＝政年佐貴恵）