出力100W級高輝度、阪大が青色半導体レーザーを開発
純銅も高品質で加工
大阪大学接合科学研究所の塚本雅裕准教授と島津製作所、日亜化学工業は、世界で初めて出力100ワット級高輝度青色半導体レーザーを開発した。青色半導体レーザーは金属に対する吸収率が高く、近赤外線半導体レーザーでは難しかった純銅も高効率かつ高品質に加工できる。
集光スポット径を100マイクロメートル(マイクロは100万分の1)以下に絞れ、溶接機や金属3Dプリンターにも用途が広がる。
日亜化学製の青色窒化ガリウム(GaN)系のレーザー素子を採用。島津製作所が多重合成技術で、コア径100マイクロメートルの1本のファイバーに集約した。これまでは同20ワットのファイバーを6本接続していた。
月内にも出力100ワットの青色半導体レーザーを搭載した溶接機の試作機を完成する。村谷機械製作所(金沢市)の協力で製作した。
青色半導体レーザーは波長が450ナノメートル(ナノは10億分の1)。近赤外光に比べて銅で6倍、ニッケルで1・5倍、炭素鋼で3割高い吸収率が得られる。吸収率が高いと加工品質が上がり、消費エネルギーも抑えられる。
集光スポット径を100マイクロメートル(マイクロは100万分の1)以下に絞れ、溶接機や金属3Dプリンターにも用途が広がる。
日亜化学製の青色窒化ガリウム(GaN)系のレーザー素子を採用。島津製作所が多重合成技術で、コア径100マイクロメートルの1本のファイバーに集約した。これまでは同20ワットのファイバーを6本接続していた。
月内にも出力100ワットの青色半導体レーザーを搭載した溶接機の試作機を完成する。村谷機械製作所(金沢市)の協力で製作した。
青色半導体レーザーは波長が450ナノメートル(ナノは10億分の1)。近赤外光に比べて銅で6倍、ニッケルで1・5倍、炭素鋼で3割高い吸収率が得られる。吸収率が高いと加工品質が上がり、消費エネルギーも抑えられる。
日刊工業新聞2017年3月27日