キオクシアは３日、第８世代３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの新製品のサンプル出荷を始めたと発表した。主力製品の第５世代フラッシュメモリーに比べ、ビット密度を約２・３倍に高め、容量は２テラビット（テラは１兆）。製造は三重県四日市工場で始め、２０２５年の量産開始を計画する。

一つのメモリーセルに４ビットのデータ量を保存できる「ＱＬＣ」という技術を、第８世代フラッシュメモリーで初めて採用。同じ面積でより多くのデータを保存できる。生成人工知能（ＡＩ）や大規模データセンターへ展開する。

キオクシアの第８世代ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、別々に製造したロジックとメモリーをウエハーボンディングによって貼り合わせる「ＣＢＡ」技術を導入済み。３ＤＮＡＮＤの性能を高めてきた。