東京大学の竹谷純一教授と熊谷翔平特任助教らは、塗布工程で形成できるｎ型酸化物半導体を開発した。ｎ型は電子が流れる。正孔が流れるｐ型有機半導体と組み合わせて発振回路を作製し、高速動作を確認した。塗布で製造する半導体デバイスの普及を目指す。

酸化インジウム・酸化亜鉛（ＩＺＯ）のｎ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を塗布で作製する。前駆体溶液をポリイミドフィルムに塗り、焼結とフォトリソグラフィーでｎ型ＴＦＴを作製した。この上にｐ型の有機半導体を塗布で積層した。

発振回路のリングオシレーターを作製すると７７キロヘルツで動作した。塗布型半導体としては世界最高クラス。ｐ型とｎ型の両方がそろい、相補型回路を製造できるようになった。