昭和電工は、パワー半導体向けに国内メーカーで初めて８インチ（２００ミリメートル）サイズの炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハーのサンプル出荷を開始したと発表した。自社製ＳｉＣ単結晶基板を用いて開発した。ＳｉＣパワー半導体は車載用途などで需要の急拡大が予想される。同社は顧客の半導体生産の効率化に寄与する大口径エピウエハーをいち早く供給し、同事業の成長を目指す。

同社は自社製ＳｉＣ基板に加え、外部から同基板を調達し、８インチエピウエハーの生産拡大や安定供給体制を構築する。生産規模や量産時期はサンプル評価を受けて決める。同社はＳｉＣエピウエハーの外販で世界首位。

現在主流の６インチ品に比べ８インチ品は１枚から生産できる半導体チップ数が多い。半導体メーカーに生産効率化の効果を認められれば、８インチ化は急速に進むと予想される。また、昭和電工は８インチ品で従来比１０分の１以下の欠陥密度を目指す長期の研究開発も進めている。