名古屋大学の田中敦之特任准教授と天野浩教授らは浜松ホトニクスと共同で、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板をレーザーでスライスする技術を開発した。切断時に失われるＧａＮの厚みは数マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）と、ワイヤソーで削る場合よりも２ケタ小さくなる。高価なＧａＮの利用効率が向上する。

緑色のレーザーをＧａＮ基板の底面から照射する。焦点部分でレーザーのエネルギーが吸収され、ＧａＮがガリウムと窒素ガスに別れる。この膨張する力でＧａＮがへき開される。溶けてなくなる厚みは３マイクロメートル程度。ワイヤソーで削ってスライスすると２００マイクロ―３００マイクロメートルのＧａＮが失われた。

ＧａＮ基板にパワー半導体の回路を形成してからへき開することも可能。ＧａＮ基板の表面を繰り返し利用できる。へき開面の表面粗さは１０マイクロ―２０マイクロメートル程度。軽く研削してから研磨すると平坦度を再生できる。今後、大口径化やへき開時の平坦化を進める。酸化ガリウムや窒化アルミニウムにも適用を進める。