ルネサスエレクトロニクスは２０１７―１８年にも、住宅街などの複雑な環境を認識できる高性能な車載機器向け次世代情報システムＬＳＩ（大規模集積回路）を製品化し、サンプル出荷を始める。少ない実装面積と高い計算能力、低消費電力を両立すべく、業界で最先端となる回路線幅７ナノメートル（ナノは１０億分の１）、もしくは同１０ナノメートルプロセスの採用を検討する。人工知能（ＡＩ）技術への対応も視野に、レベル４の完全自動運転の実現を後押しする。

　自動車メーカーは２０―２５年頃にレベル４の完全自動運転車の実用化を目指している。ルネサスは他社に先駆けて回路を微細化した先端品を投入し、成長する自動運転市場でシェアを伸ばす考えだ。

　自動運転では周辺環境の認識や動作を指示する半導体の処理能力が、技術進化のボトルネックになりつつある。同時に自動車に搭載される半導体の数は増えており、より少ない面積で膨大な情報を瞬時に処理する性能が求められている。

　現在、サンプル出荷している回路線幅１６ナノメートルの車載用ＬＳＩ「Ｒ―Ｃａｒ」の次世代品として開発を進める。量産開始は２２年頃になると見られる。

　カメラやレーダーといったセンサーなどからの情報を、複合的に処理する。市街地での自動走行を視野に、歩行者や周囲の障害物の認識など、より複雑な情報処理を実現する。

　自動運転用の半導体では、米エヌビディアや米クアルコム、東芝などが事業を強化している。運転環境を判断するための大量のデータを処理できる性能や、駆動用のソフトウエアなどで開発競争が激しくなっている。