三菱電機は化合物半導体の窒化ガリウム（ＧａＮ）を使った高周波デバイスの本格販売に乗り出す。主流のシリコン（Ｓｉ）半導体に比べて高効率・高出力といった点を訴求し、２０１７年中に携帯電話の基地局向けで採用を目指す。高速通信に伴う周波数の広帯域化により、基地局向けのニーズが拡大している。こうした需要を取り込むことで、高周波・光デバイス事業における基地局向けＧａＮデバイスの売上比率を２０年に１割以上に引き上げる。

　高周波デバイスは無線通信インフラに使われ、主に信号を増幅する目的で使われる。現在、通信の高速・大容量化に伴い、周波数帯を従来の２ギガヘルツ（ギガは１０億）から３・５ギガヘルツにする動きが出ている。より高電圧で動作し、高出力を出せるＧａＮデバイスの需要が拡大するとみられている。

　三菱電機のＧａＮ高周波デバイスは低消費電力で駆動し、増幅器を小型化できるのが特徴だ。すでに商業利用に向けた試用を始めている。

　まずは、日本での商業利用を目指す。同時に海外市場での提案にも着手し、中国や韓国、欧州を中心に採用を狙う。市場の開拓に向けて、グループの各販売会社に在籍するＧａＮデバイスの営業部隊を定期的に増員する。

　高周波デバイス市場は２０年頃からの実用化が見込まれる第５世代通信（５Ｇ）に向け、携帯電話基地局からの需要が拡大するとみられる。同基地局で使われる高周波デバイスは、現在約９割をシリコン半導体が占めている。

　同社のＧａＮデバイスはこれまで衛星通信向けを中心に展開してきた。携帯電話基地局向けでは後発だが、今後成長する市場に参入することで事業の拡大を図る。

　製品拡充も進め、通信の高速・大容量化を追い風にＧａＮデバイスの導入を進める考えだ。