大日本印刷（ＤＮＰ）は、極端紫外線（ＥＵＶ）露光に対応した２ナノメートル（ナノは１０億分の１）世代以降のロジック半導体向けに必要な微細パターンの解像に成功した。ラピダス（東京都千代田区）が２０２７年に量産開始を目指す２ナノメートル世代ロジック半導体向けに歩留まり向上などの生産技術の確立を進め、２７年度に量産・供給開始を目指す。

２ナノメートル世代以降のＥＵＶ露光に対応したフォトマスクには、３ナノメートル世代に比べて２０％以上縮小したパターンが要求されるほか、形状についても曲線などを含む全ての微細なパターンを同一マスク上で解像させる技術が必要になる。ＤＮＰは確立済みの３ナノメートル世代の製造プロセスをベースに改善を重ねた。

ＤＮＰはラピダスが参画している新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）の事業に再委託先として参画し、最先端ロジック半導体向けフォトマスクの製造プロセスと保証に関わる技術を開発している。