イーディーピーは現状比約２・８倍となる２５ミリメートル（１インチ）角の半導体デバイス向け単結晶ダイヤモンドウエハーを２０２４年度内に開発する。パワーデバイス用基板として高濃度のボロンをドーピングした１３ミリメートル角の低抵抗基板なども開発した。ダイヤモンド基板・ウエハーの２３年度の売上高は前年度比約３・６倍の２億２９００万円に伸長した。２４年度は２３年度比２倍の５億円以上を見込んでおり、大型化した製品を追加することで２５年度はさらなる売り上げ増を目指す。

イーディーピーの単結晶のダイヤモンドウエハーは現在、１５ミリメートル角が最大だが、半導体デバイス開発には最低５０ミリメートル角（２インチ）が必要といい、単結晶の大型化を進めている。２５ミリメートル角のウエハー開発が完了後、２５年度には２５ミリメートル角のウエハーを四つつなげた５０ミリメートル角のモザイクウエハーも開発する計画。

また、従来は７ミリメートル角までだったパワーデバイス開発用単結晶の低抵抗基板についても、１５ミリメートル角の単結晶を用いた１０ミリメートル角と１３ミリメートル角、直径１２・５ミリメートルの基板を発売し、製品ラインアップを拡充する。

ダイヤモンドウエハーは種結晶を気相成長させ、成長した結晶を電解エッチングで分離して作製する。ウエハーの大型化には種結晶の大型化が必須。種結晶の大型化は側面の気相成長を繰り返すが、種結晶が大きくなるほど成長の際に結晶欠陥が入りやすい。半導体デバイス向けに欠陥のない結晶を作るため、２５ミリメートル角ウエハーの作製では、成長速度など条件を慎重に検討している。

イーディーピーはダイヤモンド基板・ウエハーを国内外の研究機関や企業向けに販売している。藤森直治社長は「ダイヤモンドデバイスの開発が活発になっている」とし、大型化に力を入れる。