北海道大学の曲勇作助教と太田裕道教授、高知工科大学の古田守教授らは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電子移動度を１０倍に向上させることに成功した。酸化インジウムを活性層に用いて保護膜で酸素などから守る。耐久性が向上して実用レベルのＴＦＴを作製できた。８Ｋ有機ＥＬディスプレーの要求性能を満たせる。

電子移動度が１ボルト秒当たり７８平方センチメートルの酸化物ＴＦＴを開発した。酸化インジウムを用いると電子移動度は同１４０平方センチメートルと高速になるが、空気中の酸素や水分で劣化する課題があった。

そこで酸化インジウムと格子定数の近い酸化イットリウムや酸化エルビウムで保護膜を作製した。活性層の上に結晶性薄膜ができ、２０ボルトを５０００秒印加しても性能は変わらなかった。保護膜が非晶質になると気体分子が透過してしまい保護効果は得られない。ＴＦＴの電子移動度は同７８平方センチメートルで、８Ｋ有機ＥＬディスプレーに必要な同７０平方センチメートルを超えた。４Ｋ有機ＥＬディスプレーは同５―１０平方センチメートルだった。