ファスフォードテクノロジ（山梨県南アルプス市、富士原秀人社長）は、パワー半導体分野に参入する。電気自動車（ＥＶ）を中心に炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体が採用され始めているのを背景に、耐熱性が高いＳｉＣに対応した技術を開発し、パワー半導体向けシンタリング（燃焼）装置の市場投入を目指す。

ＳｉＣパワー半導体はシリコンパワー半導体と比べ、より高温の環境で使う。そのため従来のハンダによるダイボンディングではなく、接合材を高温で焼結させて接合するシンタリングの採用が検討されている。ファスフォードテクノロジは材料メーカーと組んで、ＳｉＣパワー半導体向けにシンタリング技術の開発を進める。従来のダイボンディングの技術と組み合わせ、製品化に取り組む。

また、ＳｉＣパワー半導体は薄化することで性能を高める傾向にある。同社はＮＡＮＤで培ったチップハンドリングの技術を、薄化したＳｉＣパワー半導体向けに応用できるとみる。

同社はチップマウンター大手ＦＵＪＩの子会社。切り出したチップを基板に貼り付けるダイボンディングを行うダイボンダーで強みを持つ。特にＮＡＮＤ型フラッシュメモリー向けでは世界シェア約５０％を持ち、多くのメモリーメーカーや半導体後工程請負業（ＯＳＡＴ）への納入実績がある。２０２３年１２月にはクリーンルームを備えた新Ｒ＆Ｄ拠点を整備。また、従来比約２倍の月産１００台までダイボンダーの生産体制も強化した。今後、ＮＡＮＤ以外にロジックやパワー半導体でもシェア拡大を目指す。２３年度に１０５億円の売上高を、２６年度には２５０億円まで伸ばす計画だ。