名城大学、京都大学の共同研究チームは、ハイエントロピー合金（ＨＥＡ）と呼ばれる合金ナノ粒子を触媒に用いて、直径１ナノメートル（ナノは１０億分の１）程度以下の単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の高効率な合成に成功した。エレクトロニクス分野への応用に適した細径の単層ＣＮＴ合成に有効なことも分かった。

研究では、京大の北川宏教授らが開発した手法で、白金族の５元素（白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム）を原子レベルで均一に混ぜ合わせたＨＥＡのナノ粒子を作製し、触媒に用いた。名城大の丸山隆浩教授らが保有する化学気相成長（ＣＶＤ）装置で単層ＣＮＴを合成した。白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、鉄、コバルトをそれぞれ単体で触媒に用いた単層ＣＮＴも合成し、生成量と構造を比較した結果、単層ＣＮＴの生成量の増加と構造制御にＨＥＡナノ粒子が有効なことが分かった。

ＨＥＡナノ粒子を触媒に用いて細径の半導体型単層ＣＮＴの高効率生成が可能になれば、現在のシリコン半導体素子を上回る高性能デバイスを実現できる。また単層ＣＮＴは電気抵抗が小さく素子動作中の発熱量が抑えられるため、省エネルギー型電子デバイスの実現も期待できる。