東京工業大学の施宇豪大学院生と辻昌武特任助教、細野秀雄特命教授らは、パラジウム電極内部に水素を透過させて酸化物半導体との界面を還元する手法を開発した。薄膜トランジスタの接触抵抗を３ケタ低減できた。メモリーの高速化と大容量化につながる。

アモルファス酸化物半導体トランジスタ（ＩＧＺＯ―ＴＦＴ）の用途を薄型ディスプレーからメモリーに広げる。ディスプレーではトランジスタのサイズは数十マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）だが、メモリーでは数ナノメートル（ナノは１０億分の１）に小さくなる。すると電極と酸化物の界面での抵抗の影響が大きくなってしまう。

そこで電極にパラジウムを採用し、水素を電極の中を透過させて界面を還元した。パラジウムは水素分子を原子状水素に乖離（かいり）させ拡散させる性質がある。

実験では電極中を１００マイクロメートルほど拡散させ、長さ３０マイクロメートルの酸化物半導体との界面を還元できた。接触抵抗は３０００オームセンチメートルから６オームセンチメートルに低下した。トランジスタの電界効果移動度は１ボルト秒当たり２０平方センチメートルに向上した。安定性は維持された。素子内部の界面のみを還元する手法として応用できる。