物質・材料研究機構の周偉男ＩＣＹＳリサーチフェローと桜庭裕弥グループリーダーらは、横型熱電材料の性能を約２倍に向上させた。シリコンの上に鉄ガリウムを成膜する単純な構造で１ケルビン当たり１５・２マイクロボルト（マイクロは１００万分の１）の電力を発生する。従来材料は同８マイクロボルトだった。材料探索の幅を広げて性能を向上させる。

温度勾配に沿って起電力が生じるゼーベック電界を磁性材料の異常ホール効果でねじ曲げる。ゼーベック効果の大きいシリコンの上に磁性材料の鉄ガリウムを積層した。

膜厚を調整して検証すると、最大で１ケルビン当たり１５・２マイクロボルトと理論予測よりも高い性能を確認した。鉄ガリウム薄膜単体では同２・４マイクロボルトのため６倍に向上した。同８マイクロボルトのワイル半金属と比べても２倍になる。

単純な積層構造でも効果があったため材料を探索して性能を向上させる。温度勾配と垂直方向に電流が流れると、熱電デバイスの構造が単純になり大型化しやすい。