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準安定相の多孔質半導体…常温合成でコスト減、名大などが新手法

準安定相の多孔質半導体…常温合成でコスト減、名大などが新手法

アルミニウム電極上のメソポーラスCuTe2薄膜とメソポーラスCuTe2薄膜の電子顕微鏡像(名古屋大学提供)

名古屋大学の山内悠輔卓越教授と浜田崇特任准教授、早稲田大学の江口美陽准教授らは、準安定相の多孔質半導体を常温で合成する手法を開発した。準安定相は不安定だが優れた物性を発揮する。二テルル化銅で多孔質薄膜を作ると、赤外光を電流に変換できた。光伝導素子や可調光センサーなどに提案していく。

直径16ナノメートル(ナノは10億分の1)の細孔を持つ二テルル化銅の薄膜を作製した。高分子でミセルを作り、電極表面に集積させてから電気化学反応で二テルル化銅を析出させる。するとミセルと同じサイズの細孔が半導体薄膜中に形成される。

電極の素材が銅テルル化合物の組成や構造に影響し、物性を変えていた。テルル化合物は加工が難しく、従来は高温高圧下で準安定相を作製していた。新手法は常温で合成できるためコスト競争力が期待できる。


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日刊工業新聞 2023年11月10日

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