ロームは窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体と駆動用ＩＣを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）を２種類開発し、販売を始めた。既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Ｓｉ　ＭＯＳＦＥＴ）と置き換えると部品体積を約９９％、電力損失を約５５％削減できる。データサーバーやＡＣアダプターなどの一次電源での利用を想定する。消費税抜きのサンプル価格は４０００円。

同社初となるＳｉＰ製品、パワーステージＩＣは６５０ボルト耐圧のＧａＮ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）と同ＨＥＭＴを最適に駆動させる専用ゲート駆動ＩＣ、周辺部品を一つのパッケージに同梱している。

駆動電圧範囲は２・５―３０ボルトで、幅広いコントローラーＩＣに対応できるのが特徴。既存のＳｉ製パワー半導体からの置き換えを容易にした。

ＧａＮ　ＨＥＭＴは高速スイッチング性能が特徴で、Ｓｉ　ＭＯＳＦＥＴと比べてスイッチング損失を大幅に削減できる。一方、同ＨＥＭＴはゲート耐圧や駆動電圧が低く、外付け部品点数の多いゲート駆動用ＩＣとセットで使うことが必須だった。ロームはそういった部品を一体化したＳｉＰを開発することで、省エネルギー化と省スペース化を両立した。

同ＳｉＰのサイズは８ミリメートル角で、厚さが１ミリメートル。パソコンや白物家電、ＯＡ機器などでの利用を想定する。