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スイッチング損失66%減、三菱電機が「大容量SiCパワー半導体モジュール」開発

スイッチング損失66%減、三菱電機が「大容量SiCパワー半導体モジュール」開発

SBDを内蔵したSiC-MOSFETモジュール

三菱電機は、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの大容量炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを開発したと発表した。これらの採用に加え、パッケージ構造の最適化により、スイッチング損失を同社の従来のSiCパワーモジュール比で66%低減することに成功した。31日からサンプル出荷を始める。

インバーターの電力損失が低減されるため、鉄道車両の駆動システムや直流送電の電力システムなど、脱炭素に向けて需要が拡大する大型産業機器向けインバーターのさらなる高出力・効率化に貢献すると期待される。


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日刊工業新聞 2023年05月09日

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