三菱電機は、ショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を採用した耐電圧３・３キロボルトの大容量炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体モジュールを開発したと発表した。これらの採用に加え、パッケージ構造の最適化により、スイッチング損失を同社の従来のＳｉＣパワーモジュール比で６６％低減することに成功した。３１日からサンプル出荷を始める。

インバーターの電力損失が低減されるため、鉄道車両の駆動システムや直流送電の電力システムなど、脱炭素に向けて需要が拡大する大型産業機器向けインバーターのさらなる高出力・効率化に貢献すると期待される。