東ソーは１―２年以内にシリコン基板へ窒化ガリウム（ＧａＮ）を成膜するスパッタリングターゲット材の市場投入を目指す。スパッタ法は化学気相成長法（ＣＶＤ）に比べ装置コスト低減や材料の利用効率向上を図れる。同社はＣＶＤ法並みの高品質膜を形成する純度９９・９９９％のターゲット材技術を構築。パワー半導体やマイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）などへの利用を想定する。

現在のＧａＮ成膜は結晶性の良い膜を形成するＣＶＤ法が主流で、サファイア基板を用いたＬＥＤ製造に使われている。スパッタ法はターゲット材の純度に課題があり、使われていなかったが、東ソーは自社で原料から合成することで純度９９・９９９％を達成した。最も高水準の参考値として９９・９９９９％品の生産にも成功。大きさは１２インチまで対応する。

スパッタ法は成膜に応力を付与でき、大口径シリコン基板に対応できる。ＣＶＤ法は素材の熱膨張率の違いから亀裂が入る恐れがあった。東ソーはパワー半導体やマイクロＬＥＤディスプレーで大口径シリコン基板の利用が進むとみる。

パワー半導体材料の開発や投資は活発化している。三菱ケミカルホールディングスグループや住友化学はＧａＮ単結晶基板、信越化学工業はＧａＮ成膜用基板に取り組む。昭和電工は炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の自社生産を始めた。