ルネサスエレクトロニクスは、現在の２８ナノメートル世代（ナノは１０億分の１）比で４倍以上の処理性能をもつ１６ナノ／１４ナノ世代の半導体メモリーセルを開発した。回路に組み込みやすいフィン構造の立体トランジスタを採用、性能が劣化しやすかった課題を改善して車載に適用可能な信頼性を確保した。自動運転を支える大容量メモリー内蔵のマイコンとして２０２３年ごろに実用化する。

　開発した技術を活用すれば、１００メガバイト級（メガは１００万）のメモリーを搭載する１６ナノ／１４ナノ世代のマイコンの実現につながる。米サンフランシスコで開かれている「国際電子デバイス会議（ＩＥＤＭ）」で発表する。

　シリコン上に窒化膜を酸化膜で挟んだ３層構造とゲートを載せ、さらにゲート電極を二つに分けた「スプリットゲート（ＳＧ）―チャージトラッピング（ＭＯＮＯＳ）」型のフラッシュメモリーセルを、世界で初めてフィン構造に作り込んだ。ＳＧ―ＭＯＮＯＳは論理回路工程との親和性が高い。

　フィン構造において、従来のプレーナ構造の平面トランジスタと同等以上のメモリー動作性能を実証した。メモリーの大容量化につながるしきい値電圧のバラつきも抑えている。