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ルネサスが16/14nm世代の自動運転向け半導体メモリーセル
処理速度4倍、2023年に内蔵マイコン実用化へ
2016年12月08日
テクノロジー
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フィン構造のフラッシュメモリーセル(CG=選択ゲート、MG=メモリーゲート、ルネサス提供)
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