名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、窒化ガリウム（ＧａＮ）の低温成長法を開発した。プラズマで窒素ラジカルなどを供給する。原料をアンモニアから窒素と水素に置き換えられる。アンモニアは生産コストの３―５割を占めていた。パワー半導体製造の低コスト化につながる。

窒素と水素のガスをプラズマ処理して窒素ラジカルなどを生成する。基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、ＧａＮの結晶が成長する。従来はアンモニアを１１５０度Ｃ程度で熱分解して窒素ラジカルを供給していた。分解効率が低く、大部分のアンモニアが排出されていた。

プラズマを用いると８００度ＣでＧａＮを製造できた。結晶の成長速度は１時間当たり３・３マイクロ―４・５マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）と従来法に匹敵する。容器を熱分解窒化ホウ素で覆うことで窒素ラジカルなどの失活を防いだ。

窒化アルミニウムは６００度Ｃ、窒化インジウムは２００度Ｃで製造できる。低温で成長速度を制御でき、異なる物質を積層しても歪みを抑えられる。パワー半導体の量産などに提案していく。