魁半導体（京都市下京区、田口貢士社長）は、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）基板と銅薄膜の接合を独自のプラズマ処理と熱圧着で可能にする技術開発を始めた。すでに真空環境での接合技術は確立済み。より実用的な通常の大気圧での接合を今夏に実現し、基板市場に提供する計画。誘電損失が小さく、配線遅延を削減するＰＴＦＥ基板は第５世代通信（５Ｇ）の次の６Ｇ以降向けで注目されるが、平滑度が高いため回路形成に接着剤が使えない課題があった。

真空でＰＴＦＥ基板と銅薄膜の接合面、それぞれをプラズマ処理で活性化。水酸基（ＯＨ基）系のガス原料を散布し、厚みが分子１個分の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）をそれぞれ形成して、ヒートロールで熱圧着すると、ＯＨ基同士が脱水縮合してしっかりと接合する仕組み。

この真空で実現した独自のＳＡＭ形成技術を、大気圧環境でも再現して実用化する。このため、課題となるプラズマ処理制御や、ガス原料吹きつけ時の周囲環境の制御を、原料を吹き出す管路の形状工夫や、局所排気などで克服する方針。すでに複数企業から問い合わせもあるという。

魁半導体はプラズマ装置メーカー。今回の開発過程でフィルム２枚をプラズマ処理してから熱圧着すると、ヒートロールが低温でも高い圧着強度を得られることも発見した。貼り合わせ面に同処理を施すと、ロール温度７０度Ｃでも、普通に１１０度Ｃで圧着した時と同等強度になる。電子部品の除電フィルム包装などで低温圧着できれば、熱ダメージ低減や歩留まり改善になる。そこで先行して月内に派生開発品「大気圧ダイレクトプラズマフィルム圧着装置」を消費税抜き価格２０００万円で発売。貼り合わせ業界に提案する。