次世代半導体の量産を目指すラピダス（東京都千代田区、小池淳義社長）は、北海道千歳市に建設中の工場で微細加工に不可欠な極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を２０２４年末に導入することを決めた。併せて２３年内に技術者ら約３００人の社員を確保する見通しも明らかにした。雇用した技術者を協力関係にある米ＩＢＭやオランダのＡＳＭＬなどに派遣し、２５年春の試作ライン稼働までにＥＵＶ露光装置の技術などを習得させる。

ＥＵＶ露光装置の供給は半導体装置メーカーのＡＳＭＬが独占している。７ナノメートル（ナノは１０億分の１）以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として、先端半導体製造に不可欠となる。日本国内では米マイクロン・テクノロジーが広島県で２５年以降に立ち上げる工場で導入を見込む。

ラピダスは回路線幅２ナノメートル以下という世界最先端のロジック半導体を２７年に量産する目標を掲げる。北海道千歳市で１棟目の工場を９月に着工しており、２棟以上の建設を想定している。ラピダスは２２年８月の設立当初からＡＳＭＬと協力関係にあり、ＡＳＭＬは千歳市で技術の支援拠点の設置も計画する。

またラピダスは技術者を中心に採用を急ピッチで進めており、毎月約３０人が入社しており、半導体の量産開始までに約１０００人の技術者を確保する計画だ。２３年内には１００人程度の技術者を提携先の米ＩＢＭの最先端半導体研究開発拠点「アルバニー・ナノテク・コンプレックス」に送り込み、ＥＵＶ露光装置などによる２ナノメートル半導体の製造ノウハウを取得する。

併せてＡＳＭＬのほか、提携するベルギーの半導体研究国際機関であるｉｍｅｃなどにも社員を派遣し、最先端の技術を積極的に学び、試作や量産に結びつけていく。