住友電気工業は第５世代通信（５Ｇ）後の大容量・高速通信を可能とする高周波増幅器用の窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタを開発した。通信機器のトランジスタを高出力・高周波化し、データ伝送量を増やせる。住友電工は５Ｇ基地局用半導体の大手。高周波通信を高度化し、省エネルギーや脱炭素の技術競争力を強める。

開発したのはＧａＮ結晶にＮ極性を、ゲート絶縁膜に業界初のハフニウム（Ｈｆ）系高耐熱高誘電材料を適用したトランジスタ。ＧａＮ結晶はＧａ極性が一般的だが、高出力・高周波化では素子設計の自由度が高く、漏れ電流を抑制できるＮ極性による特性改善が注目されていた。

だが、Ｎ極性結晶は異常成長部による凹凸が発生しやすく、住友電工は結晶成長技術で凹凸をなくした。素子設計では従来の半導体バリアー層に代わり、ゲート電極のバリアーとなる良質なゲート絶縁膜も必要だった。そこで同絶縁膜に最先端のシリコン（Ｓｉ）トランジスタで使われるＨｆ系高耐熱高誘電材料を初めて適用した。この結果、高誘電材料によるＮ極性結晶のトランジスタで良好な高周波特性を達成した。

ＧａＮトランジスタは５Ｇに代表される高周波増幅器に使われている。５Ｇ後の大容量・高速通信に向け、高出力・高周波化が求められている。住友電工は開発したトランジスタを、新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）の委託事業として手がけた。