ルネサスエレクトロニクスは、電動車用インバーター向けパワー半導体として、シリコン（Ｓｉ）絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）新製品を開発した。第１弾となる耐圧７５０ボルト、定格電流３００アンペア品のサンプル出荷を始めた。新しいプロセス「ＡＥ５」を採用し、現行品の「ＡＥ４」より電力損失を約１０％改善。壊れにくさ（破壊耐量）を維持したまま約１０％小型化した。

２０２３年１―６月期に那珂工場（茨城県ひたちなか市）の２００ミリメートルラインと３００ミリメートルラインで量産を始め、２４年１―６月期以降にパワー半導体専用工場として再稼働する甲府工場（山梨県甲斐市）でも量産する。

ＩＧＢＴは電動車のモーターを制御するインバーターが直流電力（ＤＣ）を交流電力（ＡＣ）に変換するためのスイッチングデバイス。新製品は低電力損失性能を示すオン電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）が３００アンペア時に１・３ボルトと業界最高レベル。インバーター電力損失の最大６％低減が期待でき、電気自動車（ＥＶ）の走行距離延伸やバッテリー搭載量の削減につながるという。