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電力損失10％改善、ルネサスが開発したパワー半導体新製品の中身

2022年09月01日テクノロジー

電力損失10％改善、ルネサスが開発したパワー半導体新製品の中身

シリコン（Ｓｉ）絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）新製品

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