東北大学の陣内佛霖助教と五十嵐純太学術研究員、深見俊輔教授らは、直径５ナノメートル（ナノは１０億分の１）の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子で１０ナノ秒以下の高速書き込み動作を実証した。高速動作が必要なキャッシュメモリーへの利用が開ける。半導体の１ナノメートル世代以降のオングストローム世代（オングストームは１００億分の１メートル）までスピン注入型磁気抵抗メモリー（ＳＴＴ―ＭＲＡＭ）技術を延伸できることになる。

直径５ナノメートル以下のＭＴＪ素子で３・５ナノ秒の高速書き込みを実現した。ＭＴＪの記録層になるコバルト鉄ボロンに酸化マグネシウムの薄い層を何層も挿入する。すると磁気異方性が大きくなり、ＭＴＪの磁化方向が切り替わる速度が速くなる。

実際に直径２ナノメートルのＭＴＪ素子が動作した。２ナノメートルは世界最小。５ナノメートル以下で１０ナノ秒以下の高速動作を確認。これによりＳＲＡＭやＤＲＡＭの代替を目指せると実証できた。

ＳＴＴ―ＭＲＡＭは２２ナノメートル世代が製品化された。オングストローム世代まで技術資産を活用できることになる。