大日本印刷は１０日、５ナノメートル（ナノは１０億分の１）世代の半導体製造に対応した極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ技術向けのフォトマスクの製造技術を開発したと発表した。フォトマスク専業メーカーとしては５ナノメートル世代で初めての製造技術で量産体制を整えた。国内外のメーカーへのフォトマスク提供や、周辺技術の開発の支援で２０２３年に年間６０億円の売り上げを目指す。

マルチ電子ビームマスク描画装置の特性を生かし、新たな感光材料を含むプロセスを独自設計し、ＥＵＶマスクの微細構造に合わせて加工条件を最適化した。同装置の活用で、５ナノメートル世代の半導体用フォトマスク１枚を約１０時間で製造できる。大日印は半導体の国際研究機関ＩＭＥＣなどと共同で、３ナノメートル以降のより微細なプロセスも開発を進めている。