ノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市、倉又朗人社長）は、パワー半導体の基板となる１５０ミリメートル口径（６インチ）β型酸化ガリウム（β―Ｇａ２Ｏ３）単結晶の作製に成功した。基板の大口径化や高品質化の実現に貢献し、パワー半導体へのβ―Ｇａ２Ｏ３の採用を加速させる。単結晶は、るつぼと同じ形の結晶が得られる垂直ブリッジマン（ＶＢ）法で作製。従来の方法であるＥＦＧ法よりも基板に加工する際に不要となる部分を減らせ、低コスト化につながる見通しだ。

β―Ｇａ２Ｏ３を用いたパワー半導体を広く普及させるには、基板の大口径化が不可欠で、単結晶の大型化も必要だった。ＶＢ法によるβ―Ｇａ２Ｏ３単結晶育成技術は信州大学が発案し、開発を進めている。ノベルクリスタルテクノロジーは信州大から育成技術を継承し、６インチの単結晶の作製に成功した。

同社は板状の結晶を育成できるＥＦＧ法で単結晶を作る技術を開発済み。産業技術総合研究所においてＥＦＧ法とＶＢ法でそれぞれ単結晶から取得した基板を比べたところ、ＶＢ法で作った結晶はＥＦＧ法よりも欠陥が少なく、品質が優れていた。

ノベルクリスタルテクノロジーによるとＶＢ法による６インチのβ―Ｇａ２Ｏ３単結晶の作製は世界で初めてだという。炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）が次世代のパワー半導体の材料として注目されている中、β―Ｇａ２Ｏ３はＳｉＣやＧａＮと比べ、高性能なパワー半導体を製造できる可能性がある。

β―Ｇａ２Ｏ３を用いたパワー半導体は省エネ性能にも優れると考えられており、太陽光発電向けパワーコンディショナーや産業用汎用インバーター、電源といった機器の小型化にも貢献できる。電気自動車（ＥＶ）などの電気エネルギーも効率よく利用できる見込み。