三菱電機は１３日、パッケージ内部でのインダクタンス（磁束変化に対する抵抗）を従来比で約４７％低減した「産業用フル炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体モジュールＮＸタイプ＝写真」のサンプル提供を１４日に始めると発表した。パッケージ内の電極にラミネート構造を採用するなど構造を最適化し、高速スイッチング動作が可能となる。ＳｉＣチップと合わせ、電力損失のさらなる低減が期待でき、産業用機器の効率化などに貢献できる。

内部インダクタンスを低減することにより、機器の過電圧故障の要因の一つであるサージ電圧を抑制することができ、スイッチング損失が低減されることで、電力損失を抑制可能という。

また、デバイスを高密度化する技術を適用した同社の第２世代に当たるＳｉＣチップの採用により、電力損失を約７２％低減できる。