ニコンは、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）液浸露光装置の新製品「ＮＳＲ―Ｓ６３１Ｅ＝写真」を発売した。半導体の性能を左右する回路線幅を７ナノメートル（ナノは１０億分の１）まで細くできる。従来機種「Ｓ６３０Ｄ」は１０ナノメートルまでの対応だった。先端のプロセッサーやメモリーを手がける半導体メーカーに提案する。価格は数十億円。

　先端のＡｒＦ液浸では複数回に分け回路パターンを露光し、線幅を微細化する「多重露光」技術が使われている。この多重露光においてカギを握るＭＭＯ（同一機種間の重ね合わせ精度）でＳ６３１Ｅは２．３ナノメートル以下（従来機は２．５ナノメートル以下）を実現した。

　また３００ミリメートルウエハーで毎時２７０枚以上（従来機は同２５０枚）の処理を可能にした。米インテルなどの大手半導体メーカーが１０ナノメートルを下回る回路線幅の製品の実用化を進めている。ＡｒＦ液浸露光装置はオランダのＡＳＭＬのシェアが圧倒的。ニコンはＳ６３１Ｅで巻き返しを図る。