ロームは中国の半導体後工程請負業（ＯＳＡＴ）を活用し、大電力対応に適したＴＯＬＬパッケージの６５０ボルト耐圧の窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を開発した。２０２４年１２月から量産と販売を始めており、消費税抜きのサンプル価格は３０００円。産業機器の電源や電力貯蔵システムなど向けに提案する。

新製品「ＧＮＰ２０７０ＴＤ―Ｚ＝写真」はシリコン基板にＧａＮ結晶を成長させた「ＧａＮオンシリコン」チップを使用。パッケージ製造を、パワーデバイスの後工程受託を手がける中国ＡＴＸセミコンダクターに委託した。ロームでは台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）とも協業を進めており、前工程は同社に委託している。

これまでロームは一貫生産体制を進めてきたが、今後は半導体受託製造（ファウンドリー）など外部企業とも連携。２６年から採用が広がると想定する車載向けＧａＮデバイスでもＡＴＸと協業し、いち早い新製品の市場投入を実現する。

ロームは注力する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体の市場が冷え込み、業績が低迷。収益性改善施策の一環として２４年１１月、ＩＤＭ（垂直統合型）から一部脱却する方針を打ち出しており、ファウンドリーやＯＳＡＴとの関係を深めている。