東京大学の前田拓也講師とＮＴＴ物性科学基礎研究所の廣木正伸主任研究員らは、窒化アルミニウムのダイオードを作製し、電流輸送機構を解明した。電流―電圧特性を測定し、温度依存性などが明らかになった。窒化アルミをパワー半導体に利用するための基礎的な知見になる。

ＮＴＴが窒化アルミのショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を作製し、東大が電気特性などを解析した。窒化アルミは金属電極との界面の抵抗が大きくなる課題があったが、窒化アルミの上に窒化アルミニウム・ガリウムを積層しアルミの濃度を徐々に下げることで解決した。ショットキー電極のリーク電流を抑えるなどして、ほぼ理想的なＳＢＤを作製した。

東大が評価すると熱電子電界放出で電流が生じていた。ショットキー接触界面に電圧がかかると、熱分布する電子がエネルギー障壁を通り抜ける。この障壁高さの温度依存性が明らかになった。

これらはパワー半導体を作る際に欠かせない物性値でＳＢＤの実現で初めて実測できた。窒化アルミ製パワー半導体の研究を進め、脱炭素につなげる。