米インテルと米マイクロンテクノロジーは、記憶素子を垂直に積層する３次元（３Ｄ）構造を採用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを共同開発し、サンプル出荷を始めた。両社にとって初の３Ｄフラッシュメモリー。記憶容量は３２ギガバイトと業界トップ。年内に量産を始める計画。データセンターやパソコンで使われる記憶装置のソリッド・ステート・ドライブなどに採用を提案する。

　３Ｄフラッシュメモリーの性能は層の数が左右する。インテルとマイクロンの新製品は３２層と、東芝の４８層よりは少ないが、記憶容量は倍に高めた。さらにインテルとマイクロンは３２層のまま記憶容量を４８ギガバイトに高めた製品のサンプル出荷を今春後半に始め、年内に量産を始める計画。３Ｄフラッシュメモリーはサムスンが先行し、３月２６日には東芝と、同社と提携関係にある米サンディスクもサンプル出荷を始めた。