インテルとマイクロンが立体構造のNANDフラッシュメモリー共同開発

2強の東芝・サムスンはどう動くか

  • 0
  • 0
3DNANDによるSSD(インテルのウェブサイトから)
 米インテルと米マイクロンテクノロジーは、記憶素子を垂直に積層する3次元(3D)構造を採用したNAND型フラッシュメモリーを共同開発し、サンプル出荷を始めた。両社にとって初の3Dフラッシュメモリー。記憶容量は32ギガバイトと業界トップ。年内に量産を始める計画。データセンターやパソコンで使われる記憶装置のソリッド・ステート・ドライブなどに採用を提案する。

 3Dフラッシュメモリーの性能は層の数が左右する。インテルとマイクロンの新製品は32層と、東芝の48層よりは少ないが、記憶容量は倍に高めた。さらにインテルとマイクロンは32層のまま記憶容量を48ギガバイトに高めた製品のサンプル出荷を今春後半に始め、年内に量産を始める計画。3Dフラッシュメモリーはサムスンが先行し、3月26日には東芝と、同社と提携関係にある米サンディスクもサンプル出荷を始めた。

日刊工業新聞2015年03月30日 電機・電子部品・情報・通信面

COMMENT

藤元正
モノづくり日本会議実行委員会
委員長

コンパクトかつ大容量の3Dフラッシュメモリーをめぐって、各社の開発競争が激化しそう。

関連する記事はこちら

特集