富士電機がパワー半導体で大攻勢、大型投資で4割増産へ

自動車や産業機器向けで成長取り込む

 富士電機は半導体製品の生産能力を引き上げる。2018年3月期に122億円を投じ、パワー半導体の月産能力を前期比40%増(直径200ミリメートルシリコンウエハー換算)にするほか、エアコン用のインテリジェントパワーモジュール(IPM)の生産能力を倍増する。半導体分野で100億円を超える設備投資は3年ぶり。生産体制を整え、高い市場の成長が見込める自動車や産業機器向け半導体で、旺盛な需要を取り込む。

 ウエハー加工などを手がける国内拠点や、主に組み立てなどを行う国内、海外の拠点に投資する。生産ラインを増設するほか、ラインを改良して生産効率を高める。

 シリコンウエハーを加工するパワー半導体の前工程では、主力拠点である松本工場(長野県松本市)で直径200ミリメートルウエハーの生産能力を現在の月産3000枚から同5000枚に、山梨製作所(山梨県南アルプス市)では同9000枚から1万2000枚まで引き上げる。次世代のSiC(炭化ケイ素)パワー半導体材料の本格量産に向けた設備導入も行う。

 また富士電機津軽セミコンダクタ(青森県五所川原市)では、パワー半導体の生産比率を現状の50%から80%に引き上げる。

 組み立てや検査などの後工程では、長野県などの国内3拠点で自動車用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産ラインを増設。自動車向け製品の生産を強化する。さらにフィリピンの生産拠点でエアコン用IPMの生産能力を倍増する。

日刊工業新聞2017年5月30日

政年 佐貴惠

政年 佐貴惠
05月31日
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富士電機は今後市場拡大が見込める自動車や産業機器向けの半導体製品を強化しており、今後も年間100億円以上の設備投資を継続する方針だ。

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